پایه عنصر عناصر نیمه هادی به طور مداوم در حال رشد است. هر اختراع جدید در این زمینه، در واقع کل ایده سیستم های الکترونیکی را تغییر می دهد. قابلیت‌های طراحی مدار در حال تغییر است، دستگاه‌های جدید بر اساس آنها در حال ظهور هستند. زمان زیادی از اختراع اولین ترانزیستور (1948) می گذرد. ساختارهای "p-n-p" و "n-p-n"، ترانزیستورهای دوقطبی، اختراع شدند. با گذشت زمان، ترانزیستور MIS نیز ظاهر شد که بر اساس اصل تغییر رسانایی الکتریکی لایه نیمه هادی نزدیک به سطح تحت عمل میدان الکتریکی عمل می کند. بنابراین، نام دیگر این عنصر فیلد است.
مخفف MIS (فلز-دی الکتریک-نیمه هادی) ساختار داخلی این دستگاه را مشخص می کند. در واقع، دروازه آن توسط یک لایه نازک نارسانا از زهکشی و منبع جدا می شود. یک ترانزیستور MIS مدرن دارای طول دروازه 0.6 میکرومتر است. فقط یک میدان الکترومغناطیسی می تواند از آن عبور کند - این چیزی است که بر وضعیت الکتریکی نیمه هادی تأثیر می گذارد.
بیایید به نحوه عملکرد FET نگاهی بیندازیم و دریابیم که تفاوت اصلی آن با چیستدوقطبی "برادر". هنگامی که پتانسیل مورد نیاز ظاهر می شود، یک میدان الکترومغناطیسی روی دروازه آن ظاهر می شود. بر مقاومت محل اتصال منبع تخلیه تأثیر می گذارد. در اینجا برخی از مزایای استفاده از این دستگاه آورده شده است.
- در حالت باز، مقاومت انتقال منبع تخلیه بسیار کم است و ترانزیستور MIS با موفقیت به عنوان یک کلید الکترونیکی استفاده می شود. برای مثال، می‌تواند تقویت‌کننده عملیاتی را با شنت کردن بار یا شرکت در مدارهای منطقی هدایت کند.
- همچنین امپدانس ورودی بالای دستگاه قابل توجه است. این پارامتر هنگام کار در مدارهای کم جریان کاملاً مرتبط است.
- ظرفیت پایین اتصال منبع تخلیه، استفاده از ترانزیستور MIS را در دستگاه های فرکانس بالا امکان پذیر می کند. هیچ اعوجاجی در انتقال سیگنال در طول فرآیند وجود ندارد.
- توسعه فناوری های جدید در تولید عناصر منجر به ایجاد ترانزیستورهای IGBT شده است که ویژگی های مثبت عناصر میدانی و دوقطبی را ترکیب می کند. ماژول های قدرت مبتنی بر آنها به طور گسترده ای در سافت استارترها و مبدل های فرکانس استفاده می شوند.
در طراحی و کار با این عناصر باید در نظر گرفت که ترانزیستورهای MIS به اضافه ولتاژ در مدار و الکتریسیته ساکن بسیار حساس هستند. یعنی ممکن است هنگام لمس پایانه های کنترلی دستگاه از کار بیفتد. هنگام نصب یا جدا کردن، از زمین مخصوص استفاده کنید.
چشم انداز استفاده از این دستگاه بسیار خوب است. با تشکر ازخواص منحصر به فرد آن، کاربرد گسترده ای در تجهیزات الکترونیکی مختلف پیدا کرده است. یک روند نوآورانه در الکترونیک مدرن استفاده از ماژول های قدرت IGBT برای عملکرد در مدارهای مختلف از جمله مدارهای القایی است.
تکنولوژی تولید آنها به طور مداوم در حال بهبود است. توسعه‌هایی برای مقیاس (کاهش) طول شاتر در حال انجام است. این کار عملکرد خوب دستگاه را بهبود می بخشد.
